主要用于LED晶圓芯片的外延層薄膜材料（GaN、SiO2 等）的ICP刻蝕制程、半導(dǎo)體擴(kuò)散用精密陶瓷零件及半導(dǎo)體晶圓的MOCVD外延制程。
采用高純無壓燒結(jié)碳化硅陶瓷材料，具有硬度高，耐腐蝕、耐磨損，使用壽命長等特點，并且產(chǎn)品精度高、晶圓外延層刻蝕均勻性好。直徑范圍：Φ50~500mm，托盤盤厚度：3~20mm，可設(shè)計和制造各種非標(biāo)產(chǎn)品。
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